国内14纳米FinFET技术取得重大进展 - 行业新闻 - 成都申威科技有限责任公司
国内14纳米FinFET技术取得重大进展
日期:2018-08-20 09:22:12 浏览次数:

        在国内,半导体设计类的公司数量很多,他们负责芯片的设计工作,其流片生产都会依托代工厂进行,国内的半导体代工厂主要有中芯国际、华虹半导体和华力微电子,前不久中芯国际将他们的14nm制程往前推进了一大步。  
        “我们(中芯国际)欣喜地告诉大家,在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。除了28纳米PolySiON和HKC,我们28纳米HKC+技术开发也已完成。28纳米HKC持续上量,良率达到业界水平。我们将继续扩展和提升我们的成熟和先进技术平台,提供客户全面有竞争力的服务。”


FinFET 技术结构示意图

        中芯国际联席首席执行官,赵海军博士和梁孟松博士评论说:“中芯处于蓄势过渡时期。在推进技术、建立平台和构筑合作关系上,我们看见令人鼓舞的初步进展。同时,我们向今年高个位数的收入成长目标迈进。随着需求和产能利用率在二季度回升,不包含技术授权收入的中国区收入环比和同比成长了14%和38%。作为中国首选晶圆代工伙伴,我们相信必将受惠于中国芯片市场的成长机遇。    

        在14nm量产之后,中国半导体工艺与世界先进水平的差距确实大大缩小了,28nm、14nm以及未来的7nm都是高性能节点,会长期存在,所以只要能量产出来,对发展国产高性能芯片都是有益的。
        同时14nm/16nm不仅仅是中芯腾飞的新起点,也是国产芯的一个必经的节点。