| 参数 | 性能指标 |
| 核心数量 | 2个通用64位核心 |
| 核心频率 | 设计频率2.0GHz。 |
| 峰值运算速度 | 浮点：每秒640亿次双精度浮点结果@2.0GHz； 整数：每秒360亿次整数结果2.0GHz。 |
| 工艺特征 | 28nm |
| 电压参数 | 内核电源：0.95V±5%； I/O电源：1.5V±10%，1.8V±10%。 |
| Cache容量 | 每个核心包含两级Cache，Cache行长度为128字节； 一级Cache：指令与数据分离，容量分别为32KB，均采用4路组相联结构； 二级Cache：指令与数据混合，容量为512KB，采用8路组相联结构； 2个核心共享三级Cache，容量为8MB，采用32路组相联结构。 |
| 存储空间 | 支持64位虚地址空间，实际实现43位虚地址； 支持40位物理地址。 |
| 存储器接口 | 单路64位DDR3存储器接口，支持纠单错、检双错的ECC校验，最大传输率为1866MBps； 支持的存储器容量为2、4、8、16GB或32GB； 支持连接×8和×16位结构的DDR3 SDRAM芯片，也支持连接单Rank、双Rank或四Rank的DDR3 UDIMM 或RDIMM存储器条。 |
| I/O接口 | 单路PCI-E 3.0 ×8接口，单链路有效带宽8Gbps； 维护接口支持兼容JTAG标准的芯片调试与维护; |
| 封装特性 | 采用FC-BGA封装，引脚数为528； 封装尺寸为：27mm×27mm。 |
| 功耗 | 热设计功耗：20W@2.0GHz；18W@1.8GHz； 典型运行功耗：15W@2.0GHz；13W@1.8GHz。 |
